 |
|
| Société • | FASTLITE |
|---|---|
| Adresse • | 45 rue Croulebarbe |
| Code postal • | 75013 |
| Ville • | Paris |
| Pays • | France |
- Ingénieur de l'École polytechnique (1963).
- Docteur ès sciences (1969).
- Chercheur au Centre national de la recherche scientifique (CNRS) de 1963 à 1972.
- Chercheur au sein du groupe Thalès de 1972 à 1992, directeur scientifique (1983).
- Directeur Scientifique à la Compagnie Général de Radiologie de 1983 à 1988.
- Directeur du Laboratoire central de recherches du groupe Thalès de 1987 à 1992.
- Société Alliage de 1993 à 1999.
- Directeur de la société Fastlite depuis 1999.
- Correspondant de l'Académie des Sciences depuis 1990.
- Membre de l'académie des sciences depuis 2001.
- Exploration du silicium amorphe.
- Transistors ultra-rapides à base d'arséniure de gallium.
- Imagerie par résonance magnétique.
- Détection des rayons X sur grande surface.
- Génération d'impulsions radiofréquence courtes.
- Commande des écrans plats à cristaux liquides.
- Contrôle temporel et mesure des impulsions laser de très faibles durées.
- Publications les plus représentatives :
§ D. KAPLAN, M. GUERON
Résonance magnétique des porteurs chauffés par électrons photoexcités dans l'Antimoniure d'Indium
C.R. Acad. Sci.
§ D. KAPLAN, D.LÉPINE, Y. PETROFF, P.THIRRY
New ESR investigation of the cleaved Silicon surface
Phys. Rev. Lett.(1975) l, 1376
§ P.MERENDA, D.KAPLAN, C.SOMMERS
Near band gap optical absorption in semiconducting VO2
J. de Physique (1976) 37, colloque C4
§ P.A. THOMAS, M.H. BRODSKY, D. KAPLAN, D. LÉPINE
Electron spin resonance of UHV evaporated amorphous silicon: in situ and ex situ studies
Phys. Rev. B (1978) 15, 3059
§ D. H. AUSTON, P. LAVALLARD, N. SOL, D. KAPLAN
An amorphous silicon photodetector for picosecond pulses
Appl. Phys. Lett (1980) 36, 66
§ D. KAPLAN, N.SOL, G. VELASCO, P.A. THOMAS
Hydrogenation of evaporated amorphous silicon films by plasma treatment
Appl. Phys. Lett (1978) 33, 440
§ D. KAPLAN, I. SOLOMON, N.F. MOTT
Explanation of the large spin-dependent recombination effect in semiconductors
Le Journal de Physique Lettres (1978) 39, 51
§ D. KAPLAN, M. PEPPER
Spin dependent surface recombination in silicon p-n junctions
Solid State Comm. (1980) 34, 803
§ D. KAPLAN, P. TOURNOIS
Theory and performance of the acousto-optic programmable dispersive filter used for femtosecond laser pulse shaping
J. Phys. IV (
§ J. SERES, A. MULLER, E. SERES, K. 0'KEEFE, M. LENNER, R. HERZOG, D. KAPLAN, C. SPIELMANN, F. KRAUSZ
Sub 10 fs Terawatt scale Ti : Sapphire laser
Optics Letters (2003) 28, 1832
- Création de la Société Alliage (1993).
- Création de la société Fastlite (1999)
- Médaille Blondel de la Société de l'électricité, de l'électronique et des technologies de l'information et de la communication (1986).