Profile
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Daniel
Kaplan

Date de naissance : 28/04/1941
Nationalité : Française
Nation d'élection : France
activité professionnelle
Fonction : Directeur
Société : FASTLITE
Adresse : 45 rue Croulebarbe , 75013
Ville : Paris
Pays : France
diplômes

- Ecole Polytechniques de 1960 à 1963.

 

carrière

- Chercheur au Centre national de la recherche scientifique (CNRS) de 1963 à 1972.

 

- Chercheur au sein du groupe Thalès de 1972 à 1992, directeur scientifique (1983).

 

- Directeur Scientifique à la Compagnie Général de Radiologie de 1983 à 1988.

 

- Directeur du Laboratoire central de recherches du groupe Thalès de 1987 à 1992.

 

- Société Alliage de 1993 à 1999.

 

- Directeur de la société Fastlite depuis 1999.

 

 

participations

- Correspondant de l'Académie des Sciences depuis 1990.

 

- Membre de l'académie des sciences depuis 2001.

 

compétences

- Exploration du silicium amorphe.

 

- Transistors ultra-rapides à base d'arséniure de gallium.

 

- Imagerie par résonance magnétique.

 

- Détection des rayons X sur grande surface.

 

- Génération d'impulsions radiofréquence courtes.

 

- Commande des écrans plats à cristaux liquides.

 

- Contrôle temporel et mesure des impulsions laser de très faibles durées.

 

oeuvres et travaux

- Publications les plus représentatives :

 

 

 

§ D. KAPLAN, M. GUERON
Résonance magnétique des porteurs chauffés par électrons photoexcités dans l'Antimoniure d'Indium
C.R. Acad. Sci. Paris (1965) 260, 2766

 

§ D. KAPLAN, D.LÉPINE, Y. PETROFF, P.THIRRY
New ESR investigation of the cleaved Silicon surface
Phys. Rev. Lett.(1975) l, 1376

 

§ P.MERENDA, D.KAPLAN, C.SOMMERS
Near band gap optical absorption in semiconducting VO2
J. de Physique (1976) 37, colloque C4

 

§ P.A. THOMAS, M.H. BRODSKY, D. KAPLAN, D. LÉPINE
Electron spin resonance of UHV evaporated amorphous silicon: in situ and ex situ studies
Phys. Rev. B (1978) 15, 3059

 

§ D. H. AUSTON, P. LAVALLARD, N. SOL, D. KAPLAN
An amorphous silicon photodetector for picosecond pulses
Appl. Phys. Lett (1980) 36, 66

 

§ D. KAPLAN, N.SOL, G. VELASCO, P.A. THOMAS
Hydrogenation of evaporated amorphous silicon films by plasma treatment
Appl. Phys. Lett (1978) 33, 440

 

§ D. KAPLAN, I. SOLOMON, N.F. MOTT
Explanation of the large spin-dependent recombination effect in semiconductors
Le Journal de Physique Lettres (1978) 39, 51

 

§ D. KAPLAN, M. PEPPER
Spin dependent surface recombination in silicon p-n junctions
Solid State Comm. (1980) 34, 803

 

§ D. KAPLAN, P. TOURNOIS
Theory and performance of the acousto-optic programmable dispersive filter used for femtosecond laser pulse shaping
J. Phys. IV (France) (2002) 12, 5

 

§ J. SERES, A. MULLER, E. SERES, K. 0'KEEFE, M. LENNER, R. HERZOG, D. KAPLAN, C. SPIELMANN, F. KRAUSZ
Sub 10 fs Terawatt scale Ti : Sapphire laser
Optics Letters (2003) 28, 1832

 

- Création de la Société Alliage (1993).

 

- Création de la société Fastlite (1999)